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INFINEON IAUT300N08S5N012ATMA2 MOSFET, AEC-Q101, N-KANAL, 80V, HSOF


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     1331-2888480
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IAUT300N08S5N012ATMA2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001 ohm
  • Produktpalette: OptiMOS 5
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 300 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: HSOF
  • Drain-Source-Spannung Vds: 80 V
  • Verlustleistung: 375 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IAUT300N08S5N012ATMA2, 2888480, 288-8480
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