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ONSEMI FDD86113LZ MOSFET, N-KANAL, 5.5A, 100V, TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3003927
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDD86113LZ
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087 ohm
  • Produktpalette: PowerTrench
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 5.5 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 29 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 V
  • SVHC: Lead (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDD86113LZ, 3003927, 300-3927
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