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ROHM SCT3030ALHRC11 MOSFET, N-KANAL, 650V, 70A, 175°C, 262W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-3052182
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     SCT3030ALHRC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 70 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247N
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 262 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6 V
  • SVHC: Lead (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ROHM, SCT3030ALHRC11, 3052182, 305-2182
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