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VISHAY SIHP105N60EF-GE3 MOSFET,PWR,FAST BODY DIODE TO-220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3224965
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHP105N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
vishay diode
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088 ohm
  • Produktpalette: EF
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 29 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220AB
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 208 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: Lead (19-Jan-2021)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: diode, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHP105N60EF-GE3, 3224965, 322-4965
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