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INFINEON F3L75R12W1H3B27BOMA1 IGBT-MODUL 4 N-KANAL 1.2KV 45A 275W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3294633
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     F3L75R12W1H3B27BOMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Produktpalette: EasyPACK 1B
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Kollektorstrom: 45 A
  • IGBT-Anschluss: Einpressmontage
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 V
  • Verlustleistung: 275 W
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt module, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, F3L75R12W1H3B27BOMA1, 3294633, 329-4633
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