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| Artikel-Nr.: 1331-3361191 Herst.-Nr.: LSIC1MO120E0080 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 20 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 39 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kVVerlustleistung: 179 WGate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 VSVHC: No SVHC (16-Jul-2019) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, LITTELFUSE, LSIC1MO120E0080, 3361191, 336-1191 |
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