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| Artikel-Nr.: 1331-3368734 Herst.-Nr.: FDD5N50NZTM EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38 ohmProduktpalette: UniFET II Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 4 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 500 VVerlustleistung: 62 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: Lead (14-Jun-2023) RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDD5N50NZTM, 3368734, 336-8734 |
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