| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 1331-3368871 Herst.-Nr.: NVMFS5C612NLAFT1G EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 5 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 250 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: DFN Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 167 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 VSVHC: Lead (23-Jan-2024) RoHS konform: Keine Angaben |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVMFS5C612NLAFT1G, 3368871, 336-8871 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |