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IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N50P MOSFET, N-KANAL, 500V, 26A, TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3438379
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFH26N50P
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23 ohm
  • Produktpalette: PolarHV HiPerFET
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 26 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Drain-Source-Spannung Vds: 500 V
  • Verlustleistung: 400 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 V
  • SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFH26N50P, 3438379, 343-8379
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