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TOSHIBA TK100L60W,VQ(O MOSFET, N-KANAL, 600V, 100A, TO-3P


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3870102
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TK100L60W,VQ(O
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
toshiba mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 100 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-3P
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 797 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7 V
  • SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK100L60W,VQ(O, 3870102, 387-0102
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