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INFINEON IMW120R007M1HXKSA1 MOSFET, N-KANAL, 1.2KV, 225A, TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-3958239
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IMW120R007M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 225 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV
  • Verlustleistung: 750 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • Rds(on)-Prüfspannung: 18 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007 ohm
  • Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IMW120R007M1HXKSA1, 3958239, 395-8239
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