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| Artikel-Nr.: 1331-3996602 Herst.-Nr.: IXFH60N65X2-4 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052 ohmProduktpalette: HiPerFET Series Anzahl der Pins: 4 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 60 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 780 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, LITTELFUSE, IXFH60N65X2-4, 3996602, 399-6602 |
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