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ROHM RQ6P020ATTCR MOSFET, P-KANAL, 100V, 2A, SOT-457T


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-4168779
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RQ6P020ATTCR
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 2a
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.166 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 2 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-457T
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 1.25 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
  • Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RQ6P020ATTCR, 4168779, 416-8779
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