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YAGEO XSEMI XP3N9R5AYT MOSFET, N-KANAL, 30V, 38.7A, PMPAK


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-4168941
Hersteller:
     YAGEO XSEMI
Herst.-Nr.:
     XP3N9R5AYT
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095 ohm
  • Produktpalette: XP3N9R5A Series
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 38.7 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PMPAK
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 3.57 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP3N9R5AYT, 4168941, 416-8941
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