| |
|
| Artikel-Nr.: 1331-4173116 Herst.-Nr.: TK4R4P06PL,RQ(S2 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| | |
| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034 ohmProduktpalette: U-MOSIX-H Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 106 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 87 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2023) RoHS konform: Keine Angaben |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK4R4P06PL,RQ(S2, 4173116, 417-3116 |
| | |
| |