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NEXPERIA GAN190-650EBEZ TRANSISTOR, GAN, 650V, 11.5A, DFN


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     1331-4198481
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     GAN190-650EBEZ
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Schalttransistor
Transistor
schalttransistor
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138 ohm
  • Gate-Ladung, typ.: 2.8 nC
  • Produktpalette: -
  • Bauform - Transistor: DFN8080
  • Dauer-Drainstrom Id: 11.5 A
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Qualifikation: -
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (GaN)-FETs, Dioden, FETs, Galliumnitrid, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, GAN190-650EBEZ, 4198481, 419-8481
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