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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-9845445
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDC5612
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 4.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SuperSOT
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 1.6 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 V
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDC5612, 9845445, 984-5445
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