Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3

Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 250 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 76 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 100 mA · Leistung (max) P(TOT): 360 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 3.5 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 5 V · R(DS)(on): 14 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 0.1 mA · Serie (Halbleiter): SIPMOS® · Transistor-Merkmal: Deleption Mode · U(DSS): 250 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 56 µA · U(GS)(th) max.: 1 V