Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-263-3

Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-263-3

MOSFET (HEXFET /FETKY)

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 920 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-263-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 17 A · Leistung (max) P(TOT): 3.8 W · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 37 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 90 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 9 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V