Diotec Transistor (BJT) - diskret BC859B SOT-23 PNP

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC859B SOT-23 PNP

BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP

Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 290 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 30 V · Leistung (max) P(TOT): 0.25 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 650 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMD
Gehäuse: SOT-23
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 30 V
DC Kollektorstrom - IC: 100 mA
Polarität - pol: PNP
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 290
VCE: 5 V
IC: 2 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 650 mV
IC: 100 mA
IB: 5 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 10 mA
VCE: 5 V
f: 100 MHz