Diotec Transistor (BJT) - diskret BCP55-6 SOT-223 NPN

Diotec Transistor (BJT) - diskret BCP55-6 SOT-223 NPN

BJT, SOT-223, 60V, 1000mA, NPN

Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1000 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 60 V · Leistung (max) P(TOT): 2 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 500 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMD
Gehäuse: SOT-223
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 60 V
DC Kollektorstrom - IC: 1000 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 2.000 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 40
VCE: 2 V
IC: 150 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mV
IC: 500 mA
IB: 50 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 50 mA
VCE: 10 V
f: 100 MHz