Diotec Transistor (BJT) - diskret MPSA06 TO-92 NPN

Diotec Transistor (BJT) - diskret MPSA06 TO-92 NPN

BJT, TO-92, 80V, 500mA, NPN

Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V · Leistung (max) P(TOT): 0.625 W · Montageart: Durchsteckmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 250 mV · Weitere technische Daten: Typ: Wire-lead
Gehäuse: TO-92
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 80 V
DC Kollektorstrom - IC: 500 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.625 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 100
VCE: 1 V
IC: 10 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 250 mV
IC: 100 mA
IB: 10 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 10 mA
VCE: 2 V
f: 100 MHz