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| Artikel-Nr.:
4815E-Q32913 Herst.-Nr.:
BC859C EAN/GTIN:
k.A. |
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| PNP-Transistor
Hinweise:
+ Abbildung ähnlich Weitere Informationen: | | Kanäle: | 1 | Herst.-Abk.: | INF | Typ: | BC859C | Montageart: | Oberflächenmontage | Ausführung: | PNP | VCE Sättigung (max.): | -650 mV | DC Stromverstärkung (hFE): | 420 | DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: | -2 mA | Transitfrequenz f(T): | 250 MHz | Kollektor Reststrom I(CES): | -15 nA | DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: | -5 V | Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | -30 V | Leistung (max) P(TOT): | 330 mW | Verpackungsart: | Tape cut | Collector-Strom I(C): | -100 mA | Hersteller: | Infineon Technologies | Gehäuse: | SOT-23-3 | Produkt-Art: | Transistor (BJT) - diskret |
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| Weitere Suchbegriffe: transistor 30v, Infineon Technologies, Transfer Resistor |
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