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| Artikel-Nr.:
4815E-Q32982 Herst.-Nr.:
BSP135H6327 EAN/GTIN:
k.A. |
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Hinweise:
+ Abbildung ähnlich
Weitere Informationen: | | Kanäle: | 1 | R(DS)(on): | 45 Ω | Herst.-Abk.: | INF | Montageart: | Oberflächenmontage | I(d): | 120 mA | C(ISS): | 146 pF | Q(G) Referenz-Spannung: | 5 V | Q(G): | 4.9 nC | Transistor-Merkmal: | Deleption Mode | R(DS)(on) Referenz-Strom: | 120 mA | C(ISS) Referenz-Spannung: | 25 V | R(DS)(on) Referenz-Spannung: | 10 V | Ausführung: | N-Kanal | Leistung (max) P(TOT): | 1.8 W | Betriebstemperatur (max.): | +150 °C | Betriebstemperatur (min.): | -55 °C | Hersteller: | Infineon Technologies | Gehäuse: | TO-261-4 | Serie: | SIPMOS® | Produkt-Art: | MOSFET |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 600v, Infineon Technologies, 354-5708, FET |
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