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| Artikel-Nr.:
4815E-Q85339 Herst.-Nr.:
IRF9Z34N EAN/GTIN:
k.A. |
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Hinweise:
+ Abbildung ähnlich
Weitere Informationen: | | Kanäle: | 1 | R<sub>th</sub> max.: | 2.7 °C/W | R(DS)(on): | 100 mΩ | Herst.-Abk.: | INF | Montageart: | Oberflächenmontage | I(d): | 19 A | C(ISS): | 620 pF | Q(G) Referenz-Spannung: | 10 V | Q(G): | 35 nC | R(DS)(on) Referenz-Strom: | 10 A | C(ISS) Referenz-Spannung: | 25 V | R(DS)(on) Referenz-Spannung: | 10 V | Ausführung: | P-Kanal | Leistung (max) P(TOT): | 3.8 W | Betriebstemperatur (max.): | +175 °C | Betriebstemperatur (min.): | -55 °C | Hersteller: | Infineon Technologies | Gehäuse: | TO-220 | Serie: | HEXFET® | Produkt-Art: | MOSFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Infineon Technologies, 541-0806, International Rectifier |
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| | Lagerstand | Mind.-Menge | | Einheit | Versand | | | | | | | | | | | | | | Lager 4815 | | | | 10 | | pro Stück | € 5,95* | ab € 0,62* | € 0,96* | | | | | | 2 Tage | | | 5 | | pro Stück | Frei Haus | ab € 0,53* | € 1,07* | | | | | 7 Tage | | | 1 | | pro Paket | € 9,90* | ab € 13,92* | € 18,94* | | | | | | | | | | | | | | | | | Preise: Lager 4815 | | Bestellmenge | Netto | Brutto | Einheit | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Mindestbestellmenge: 10 Stück ( entspricht € 9,60* zzgl. MwSt. ) |
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