MOSFET, N-Kanal, 100V, 80A, QFN

Bezeichnung=MOSFET, Typ=DI100N10PQ, Abfallzeit=8 ns, Anstiegzeit=43 ns, Ausschaltverzögerung=23 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=100 V, Einschaltverzögerung=26 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=80 A, Leistungsverteilung (PV)=60 W, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=4.5 mΩ, Bauform=QFN, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101