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| Artikel-Nr.: 822EL-1007569 Herst.-Nr.: MJD32CT4G EAN/GTIN: 5059042274134 |
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| Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –3 A Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1,56 W Gleichstromverstärkung min. = 10 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Arbeitsfrequenz max. = 3 MHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. PNP-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –3 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,56 W | Gleichstromverstärkung min.: | 10 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 3 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1007569, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJD32CT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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