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| Artikel-Nr.:
822EL-1031568 Herst.-Nr.:
STE40NC60 EAN/GTIN:
5059042270297 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 40 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = ISOTOP
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 460 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 9.1mm
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 40 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | ISOTOP | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 130 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 460 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 9.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 40a mosfet, 1031568, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STE40NC60, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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