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| Artikel-Nr.:
822EL-1031988 Herst.-Nr.:
STD7NM60N EAN/GTIN:
5059042010701 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 900 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 45 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = MDmesh
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 900 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 45 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | MDmesh |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, stm mosfet, 1031988, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD7NM60N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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