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| Artikel-Nr.:
822EL-1038142 Herst.-Nr.:
PMV65XP,215 EAN/GTIN:
5059043363431 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 76 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.47V
Verlustleistung max. = 1,92 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 1mm
P-Kanal-MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 76 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.9V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.47V | Verlustleistung max.: | 1,92 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1038142, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMV65XP,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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