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| Artikel-Nr.:
822EL-1220072 Herst.-Nr.:
BD681G EAN/GTIN:
5059042132373 |
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| Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 4 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = TO-225
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 750
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 2,5 V
Kollektor-Abschaltstrom max. = 0.2mA
Höhe = 11.04mm
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 4 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | TO-225 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gleichstromverstärkung min.: | 750 | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 2,5 V | Kollektor-Abschaltstrom max.: | 0.2mA | Höhe: | 11.04mm |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor, onsemi transistor, 1220072, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, BD681G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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