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| Artikel-Nr.:
822EL-1220391 Herst.-Nr.:
SEMiX303GB12E4p EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 469 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Gehäusegröße = SEMiX®3p
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 11
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 150 x 62.4 x 17mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C
SEMiX® Dual-IGBT-Module. Dual-IGBT-Module von Semikron in modernen, flachen SEMiX®-Gehäusen, die für Halbbrücken-Leistungssteuerungsanwendung geeignet sind. Die Module verwenden lötfreie Feder- oder Presssitz-Kontakte, sodass ein Gate-Treiber direkt an der Oberseite des Moduls montiert werden kann, was Platz spart und größere Anschlusszuverlässigkeit bietet. Typische Anwendungen umfassen AC-Frequenzumrichter, USV, elektronisches Schweißen und erneuerbare Energiesysteme. Geeignete Presssitz-Gate-Treibermodule siehe ; 122-0385 122-0385 bis ; 122-0387 122-0387. Flaches, lötfreies Montagegehäuse IGBTs mit Trenchgate-Technologie Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung hat positiven Temperaturkoeffizienten Hohe Kurzschlussstrombelastbarkeit Presssitz-Stifte als Hilfskontakte UL-Zulassung Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 469 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Gehäusegröße: | SEMiX®3p | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 11 | Transistor-Konfiguration: | Serie | Abmessungen: | 150 x 62.4 x 17mm | Betriebstemperatur min.: | –40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1220391, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Semikron, SEMiX303GB12E4p, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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