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| Artikel-Nr.: 822EL-1241718 Herst.-Nr.: FQD12N20LTM EAN/GTIN: 5059042707397 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 2,5 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 16 nC @ 5 V Serie = QFET
N-Kanal-MOSFET QFET®, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 280 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 16 nC @ 5 V | Serie: | QFET |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1241718, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQD12N20LTM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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