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| Artikel-Nr.:
822EL-1242405 Herst.-Nr.:
PSMN012-60YS,115 EAN/GTIN:
5059043801261 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 59 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = LFPAK, SOT-669
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 17,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 89 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 1.1mm
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 59 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | LFPAK, SOT-669 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 17,8 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 89 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 1.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1242405, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PSMN01260YS,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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