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| Artikel-Nr.: 822EL-1245404 Herst.-Nr.: NTK3139PT1G EAN/GTIN: 5059042712957 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 870 mA Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SOT-723 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 2,2 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.2V Verlustleistung max. = 550 mW Gate-Source Spannung max. = -6 V, +6 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 0.55mm
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 870 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-723 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,2 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 550 mW | Gate-Source Spannung max.: | -6 V, +6 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.55mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1245404, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTK3139PT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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