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| Artikel-Nr.:
822EL-1245411 Herst.-Nr.:
NTR5198NLT1G EAN/GTIN:
5059042713138 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 155 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Verlustleistung max. = 900 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1.01mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 155 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 900 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1245411, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTR5198NLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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