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| Artikel-Nr.: 822EL-1246845 Herst.-Nr.: RZM001P02T2L EAN/GTIN: 5059043796161 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 100 mA Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SOT-723 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 40 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1V Gate-Schwellenspannung min. = 0.3V Verlustleistung max. = 150 mW Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V Breite = 0.9mm Höhe = 0.45mm
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 100 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-723 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 40 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.3V | Verlustleistung max.: | 150 mW | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Breite: | 0.9mm | Höhe: | 0.45mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1246845, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RZM001P02T2L, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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