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| Artikel-Nr.:
822EL-1251114 Herst.-Nr.:
SKM400GB12E4 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 616 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = SEMITRANS3
Montage-Typ = Schraubmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Schaltgeschwindigkeit = 12kHz
Transistor-Konfiguration = Halbbrücke
Abmessungen = 106.4 x 61.4 x 30.5mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C
Duale IGBT-Module. Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet. Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 616 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Anzahl an Transistoren: | 2 | Gehäusegröße: | SEMITRANS3 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 7 | Schaltgeschwindigkeit: | 12kHz | Transistor-Konfiguration: | Halbbrücke | Abmessungen: | 106.4 x 61.4 x 30.5mm | Betriebstemperatur min.: | –40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1251114, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Semikron, SKM400GB12E4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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