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| Artikel-Nr.:
822EL-1445246 Herst.-Nr.:
TTD1409B,S4X(S EAN/GTIN:
5059041676205 |
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| Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 6 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 400 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Konfiguration = Single
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Gleichstromverstärkung min. = 100
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 2,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 600 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 2 V
Kollektor-Abschaltstrom max. = 20µA
Betriebstemperatur max. = +150 °C
NPN-Darlington-Transistoren, Toshiba Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 6 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 400 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Konfiguration: | Single | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Gleichstromverstärkung min.: | 100 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 2,5 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 600 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 2 V | Kollektor-Abschaltstrom max.: | 20µA | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor, transistor toshiba, 1445246, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, Toshiba, TTD1409B,S4X(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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