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| Artikel-Nr.: 822EL-1452795 Herst.-Nr.: MJD31CG EAN/GTIN: 5059042559408 |
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| Transistor-Typ = NPN Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,2 V Verlustleistung max. = 1,56 W
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,2 V | Verlustleistung max.: | 1,56 W |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1452795, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, MJD31CG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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