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| Artikel-Nr.:
822EL-1453897 Herst.-Nr.:
MMBT6520LT1G EAN/GTIN:
5059042579888 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = -350 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 225 mW
Gleichstromverstärkung min. = 30
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = –350 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = –5 V
Arbeitsfrequenz max. = 20 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 3.04 x 2.64 x 1.11mm
Hersteller-Teilenummern mit S als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –500 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | -350 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 225 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 30 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –350 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | –5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 20 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 3.04 x 2.64 x 1.11mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1453897, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MMBT6520LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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