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| Artikel-Nr.:
822EL-1454061 Herst.-Nr.:
NST65010MW6T1G EAN/GTIN:
5059042590531 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = -65 V
Gehäusegröße = SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 380 mW
Gleichstromverstärkung min. = 220
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = –80 V
Basis-Emitter Spannung max. = –5 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 1mm
Bipolare abgestimmte Doppeltransistoren, ON Semiconductor. Paare von bipolaren NPN- oder PNP-Transistoren in einem einzelnen Gehäuse für Basis-Emitter-Spannung (V ;sub>BE ;/sub>) und Stromverstärkung (h ;sub>FE ;/sub>). Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | -65 V | Gehäusegröße: | SOT-363 (SC-88) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 380 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 220 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor pnp, smd transistor, 1454061, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NST65010MW6T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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