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| Artikel-Nr.:
822EL-1454764 Herst.-Nr.:
NJVMJB41CT4G EAN/GTIN:
5059042580464 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 6 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 65 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.29 x 11.05 x 4.83mm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 6 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 65 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 10.29 x 11.05 x 4.83mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1454764, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NJVMJB41CT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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