|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1458705 Herst.-Nr.:
IPA086N10N3GXKSA1 EAN/GTIN:
5059043776002 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 15,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 37,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.85mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 45 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 15,4 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 37,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.85mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 1458705, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPA086N10N3GXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |