Nexperia PDTA123YT,215 SMD, PNP Digitaler Transistor –50 V, SOT 3-Pin

Transistor-Typ = PNP
Kollektor-Emitter-Spannung = –50 V
Gehäusegröße = SOT
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 250 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C

Widerstandsbestückte Transistoren (RETs), platzsparende und kostensparende Lösungen, die die Anzahl Ihrer Komponenten reduzieren und den Stromkreisaufbau vereinfachen. Durch die Kombination von Transistoren mit den dazugehörigen Widerständen sind RETs hervorragende platzsparende und kostensparende Lösungen. Wir bieten ca. 400 Produkte an, damit Sie die Lösungen finden, die am besten für Ihre Anwendungen geeignet sind. In unserem Portfolio finden Sie einfache und duale RETs mit einer Vielzahl von Widerstandskombinationen. Darüber hinaus können Sie auch zwischen Baureihen mit SMD-Gehäusen und bedrahteten Gehäusen wählen.±10 % Widerstand-VerhältnistoleranzVerringert die Bestückungskosten.Integrierte VorwiderständeReduziert die Anzahl der KomponentenAusgangsstrombelastbarkeit von 100 mA, 500 mA und bis zu 800 mAVereinfacht den StromkreisaufbauTransistoren mit PNP-Widerstand R1 = 2,2 kOhm, R2 = 10 kOhm, Transistoren mit PNP-Widerstand (RET).Integrierte VorwiderständeReduziert die Anzahl der KomponentenVereinfacht den StromkreisaufbauVerringert die Bestückungskosten.AEC-Q101-qualifiziert