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| Artikel-Nr.:
822EL-1513050 Herst.-Nr.:
PMV55ENEAR EAN/GTIN:
5059043688107 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 120 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.7V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 8,36 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 120 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.7V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 8,36 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1513050, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMV55ENEAR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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