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| Artikel-Nr.:
822EL-1530662 Herst.-Nr.:
BUK9M85-60EX EAN/GTIN:
5059043632315 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = LFPAK33
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 192 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.45V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V
Verlustleistung max. = 31 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 15 V
Breite = 2.6mm
Höhe = 0.9mm
N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, 60 V, 85 mΩ, in LFPAK33, N-Kanal MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK33 (Power33) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde entwickelt und qualifiziert gemäß dem AEC Q101-Standard für den Einsatz in Hochleistungs-Kfz-Anwendungen.Q101-konform Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C: Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C 12-V-Kfz-Systeme Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung Getriebesteuerung Schalten von extrem hohen Leistungen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 12,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | LFPAK33 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 192 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.45V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.5V | Verlustleistung max.: | 31 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 15 V | Breite: | 2.6mm | Höhe: | 0.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1530662, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BUK9M8560EX, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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