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| Artikel-Nr.:
822EL-1530762 Herst.-Nr.:
BUK9M28-80EX EAN/GTIN:
5059043631615 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 33 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = LFPAK33
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 70 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.45V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V
Verlustleistung max. = 75 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 15 V
Breite = 2.6mm
Höhe = 0.9mm
N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, 80 V, 28 mΩ, in LFPAK33, N-Kanal MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK33 (Power33) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde entwickelt und qualifiziert gemäß dem AEC Q101-Standard für den Einsatz in Hochleistungs-Kfz-Anwendungen.Q101-konform Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C: Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C Kfz-Systeme mit 12 V, 24 V und 48 V Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung Getriebesteuerung Schalten von extrem hohen Leistungen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 33 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | LFPAK33 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 70 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.45V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.5V | Verlustleistung max.: | 75 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 15 V | Breite: | 2.6mm | Höhe: | 0.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1530762, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BUK9M2880EX, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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