Nexperia PEMZ7,315 SMD, NPN/PNP Transistor Dual 12 V / 500 mA 420 MHz, SOT-666 6-Pin

Transistor-Typ = NPN/PNP
DC Kollektorstrom max. = 500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 12 V
Gehäusegröße = SOT-666
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 200 mW
Gleichstromverstärkung min. = 200
Kollektor-Basis-Spannung max. = 15 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 420 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 1.7 x 1.3 x 0.6mm

Doppelte Transistoren. Zur Erfüllung der Designanforderungen der Zukunft. Eine umfangreiche Auswahl an doppelten Transistoren, bei denen immer das richtige Bauelement für Ihr Design zur Verfügung steht. Für die zunehmend effizienten Systeme von heute – in denen sowohl Leistung als auch Platz knapp werden – bieten wir SMD-Gehäuse wie unser extrem kleines SOT883-Gehäuse ohne Kabel.NPN/PNP-Universaltransistoren, NPN/PNP mit niedriger VCEsatGesamtverlustleistung: 300 mW Sehr kleines, extrem dünnes Gehäuse, 1,6 x 1,2 mm Selbstausrichtung während des Lötens durch gerade Leitungen Niedrige Kollektorkapazität Geringe VCEsat Hohe Strombelastbarkeit Verbessertes thermisches Verhalten aufgrund flacher Anschlussleitungen