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| Artikel-Nr.:
822EL-1532855 Herst.-Nr.:
PBRN123ET,215 EAN/GTIN:
5059043507262 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 600 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V
Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 570 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 10 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Widerstandsverhältnis = 1 Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 600 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 40 V | Gehäusegröße: | SOT-23 (TO-236AB) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 570 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 10 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Widerstandsverhältnis: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, transistor sot-23, 1532855, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBRN123ET,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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